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2SC2055	文件：122.64 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF amplifiers on VHF band portable or hand-held radio applications) DESCRITION 2SC2055isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistordesignedforRFamplifiersonVHFbandportableorhand-heldradioapplications. FEATURES ●Highpowergain:Gpe≥13dB @VCC=7.2V,PO=0.2W,f=175MHz ●Emitterballastedconstruction,goldmetallizationforhigh	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机

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2SC2055

文件：122.64 Kbytes

Page：3 Pages

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF amplifiers on VHF band portable or hand-held radio applications)

DESCRITION 2SC2055isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistordesignedforRFamplifiersonVHFbandportableorhand-heldradioapplications. FEATURES ●Highpowergain:Gpe≥13dB @VCC=7.2V,PO=0.2W,f=175MHz ●Emitterballastedconstruction,goldmetallizationforhigh

MitsubishiMITSUBISHI electlic

三菱电机

详细参数

型号：
2SC2055
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF amplifiers on VHF band portable or hand-held radio applications)

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更多2SC2055供应商更新时间2024-4-19 16:30:00

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