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2SC2098	文件：139.31 Kbytes Page：2 Pages	SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR 文件：139.31 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC2098	文件：264.8 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：264.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC2098	文件：192.8 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE 文件：192.8 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC2098	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 70V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS	NJS
2SC2098_13	文件：83.26 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE 文件：83.26 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

技术参数

Output Power：
16(Typ)W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum DC Current Gain：
20@4A@5V
Maximum Transition Frequency：
100(Min)MHz
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
6A
Maximum Collector Emitter Voltage：
70V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.5@0.4A@4AV
Maximum Collector Base Voltage：
70V
Material：
Si
Configuration：
Single

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