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2SC1959	文件：138.38 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY LOW POWER, DRIVER STAGE AMPLIFIER SWITCHING APPLICATIONS) Audio Frequency Low Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Switching Applications * Excellent hFE linearity : hFE (2)= 25 (min): VCE= 6 V, IC= 400 mA * 1 watt amplifier applications. * Complementary to 2SA562TM. 文件：138.38 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC1959	文件：214.78 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for audio frequency low-power amplifier applications. 文件：214.78 Kbytes 页数：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
2SC1959	文件：664.69 Kbytes Page：3 Pages	TO-92S Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Excellent hFE Linearity ● High Transition Frequency 文件：664.69 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SC1959	文件：84.14 Kbytes Page：1 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ● Excellent hFE Linearity ● High Transition Frequency 文件：84.14 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SC1959	文件：50.59 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The 2SC1959 is designed for audio frequency Low power amplifier applications. Features • Excellent hFE Linearity. 文件：50.59 Kbytes 页数：3 Pages	TGS	TGS
2SC1959	文件：1.82637 Mbytes Page：5 Pages	丝印：C1959；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Excellent hFE Linearlity 文件：1.82637 Mbytes 页数：5 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SC1959	文件：104.56 Kbytes Page：1 Pages	Audio frequency power amplifier Purpose: Audio frequency power amplifier, driver stage amplifier and switching applications. Features: Excellent hFE linearity 1 Watt output amplifier applications, complementary pair with 2SA562TM(3CG562TM). 文件：104.56 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SC1959	文件：359.78 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Excellent hFE linearlity 文件：359.78 Kbytes 页数：2 Pages	KOOCHIN 灏展电子	KOOCHIN
2SC1959	文件：949.41 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. Features Excellent hFE linearity1Watt output amplifier applications, complementary pair with 2SA562TM. Applications Audio frequency power amplifier, driver stage amplifier and switching applications. 文件：949.41 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SC1959	文件：59.47 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURE Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 35 V Operating and storage junction temperature range Tstg: -55℃ to +150℃ TJ: 150℃ 文件：59.47 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL

技术参数

Polarity：
NPN
PCM(W)：
0.5
IC(A)：
0.5
VCBO(V)：
35
VCEO(V)：
30
VEBO(V)：
5
hFEMin：
70
hFEMax：
400
hFE@VCE(V)：
1
hFE@IC(A)：
0.1
VCE(sat)(V)：
0.25
VCE(sat)@IC(A)：
0.1
VCE(sat)@IB(A)：
0.01
Package：
TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SC1959	NPNECB	24+	TO-92	50000		询价
深圳市弘为电子有限公司	2SC1959	TOS	24+	原厂封装	5500	原装现货假一罚十	询价
深圳市勤思达科技有限公司	2SC1959	TOSHI	1215+	TO-92	150000	全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.	询价
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更多2SC1959供应商更新时间2025-12-24 10:50:00

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