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2SC1959	文件：319.24 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 文件：319.24 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC1959	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Transistor	Secos 喜可士	Secos
2SC1959	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极型晶体管	LGE 鲁光电子	LGE
2SC1959	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信号晶体管	ST 意法半导体	ST
2SC1959-GR	文件：277.19 Kbytes Page：3 Pages	Power Silicon NPN Transistor Features • Audio frequency low power amplifier applications, driver stage amplifier applications, switching applications • Excellent hFE Linearity: hFE(2) =25(Min.) : VCE=6.0V, IC=400mA • 1 Watt Amplifier applications • Complementary to 2SA562TM. • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratin 文件：277.19 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
2SC1959M	文件：662.94 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. Features Excellent hFE Linearity, complementary pair with 2SA562M. Applications Audio frequency low power amplifier,driver stage amplifier and switching applications. 文件：662.94 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SC1959-O	文件：277.19 Kbytes Page：3 Pages	Power Silicon NPN Transistor Features • Audio frequency low power amplifier applications, driver stage amplifier applications, switching applications • Excellent hFE Linearity: hFE(2) =25(Min.) : VCE=6.0V, IC=400mA • 1 Watt Amplifier applications • Complementary to 2SA562TM. • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratin 文件：277.19 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
2SC1959-TA	文件：1.82637 Mbytes Page：5 Pages	丝印：C1959；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Excellent hFE Linearlity 文件：1.82637 Mbytes 页数：5 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SC1959-Y	文件：277.19 Kbytes Page：3 Pages	Power Silicon NPN Transistor Features • Audio frequency low power amplifier applications, driver stage amplifier applications, switching applications • Excellent hFE Linearity: hFE(2) =25(Min.) : VCE=6.0V, IC=400mA • 1 Watt Amplifier applications • Complementary to 2SA562TM. • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratin 文件：277.19 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
2SC1959_07	文件：319.24 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 文件：319.24 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Polarity：
NPN
PCM(W)：
0.5
IC(A)：
0.5
VCBO(V)：
35
VCEO(V)：
30
VEBO(V)：
5
hFEMin：
70
hFEMax：
400
hFE@VCE(V)：
1
hFE@IC(A)：
0.1
VCE(sat)(V)：
0.25
VCE(sat)@IC(A)：
0.1
VCE(sat)@IB(A)：
0.01
Package：
TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SC1959	NPNECB	24+	TO-92	50000		询价
深圳市弘为电子有限公司	2SC1959	TOS	24+	原厂封装	5500	原装现货假一罚十	询价
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更多2SC1959供应商更新时间2025-12-24 16:30:00

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