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2SC2026	文件：35.57 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION SuitableforlownoiseamplifierintheVHFtoUHFband. FEATURES ●NF3.0dbTYP.@f=500MHz ●Gpe15dbTYP.@f=500MHz ●fT2.0GHzTYP.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SC2026	文件：75.78 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN RF Transistor DESCRIPTION •LowNoise NF=3.0dBTYP.@f=500MHz •HighPowerGain Gpe=15dBTYP.@f=500MHz •HighGainBandwidthProduct fT=2.0GHzTYP. APPLICATIONS •DesignedforuseinlownoiseamplifiersintheVHF~UHFband.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION SuitableforlownoiseamplifierintheVHFtoUHFband. FEATURES ●NF3.0dbTYP.@f=500MHz ●Gpe15dbTYP.@f=500MHz ●fT2.0GHzTYP.

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

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isc Silicon NPN RF Transistor

DESCRIPTION •LowNoise NF=3.0dBTYP.@f=500MHz •HighPowerGain Gpe=15dBTYP.@f=500MHz •HighGainBandwidthProduct fT=2.0GHzTYP. APPLICATIONS •DesignedforuseinlownoiseamplifiersintheVHF~UHFband.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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更多2SC2026供应商更新时间2025-7-26 16:00:00

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