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2SC1971-01	文件：127.93 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications) DESCRIPTION 2SC1971isasiliconNPNepitaxailplanartypetransistordesignedforRFPowerAmplifiersonVHFbandmobileradioapplications. FEATURES ●Highpowergain:Gpe≥10dB, @VCC=13.5V,Po=6W,f=175MHz ●Emitterballastedconstruction,goldmetallizationforhigh reliabil	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机

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2SC1971-01

文件：127.93 Kbytes

Page：3 Pages

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications)

DESCRIPTION 2SC1971isasiliconNPNepitaxailplanartypetransistordesignedforRFPowerAmplifiersonVHFbandmobileradioapplications. FEATURES ●Highpowergain:Gpe≥10dB, @VCC=13.5V,Po=6W,f=175MHz ●Emitterballastedconstruction,goldmetallizationforhigh reliabil

MitsubishiMITSUBISHI electlic

三菱电机

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