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2SC1971	文件：127.93 Kbytes Page：3 Pages	丝印：C1971；Package：T-30E；NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications) DESCRIPTION 2SC1971 is a silicon NPN epitaxail planar type transistor designed for RF Power Amplifiers on VHF band mobile radio applications. FEATURES ● High power gain: Gpe ≥ 10dB, @VCC = 13.5V, Po = 6W, f = 175MHz ● Emitter ballasted construction, gold metallization for high reliabil 文件：127.93 Kbytes 页数：3 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
C1971	文件：127.93 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications) DESCRIPTION 2SC1971 is a silicon NPN epitaxail planar type transistor designed for RF Power Amplifiers on VHF band mobile radio applications. FEATURES ● High power gain: Gpe ≥ 10dB, @VCC = 13.5V, Po = 6W, f = 175MHz ● Emitter ballasted construction, gold metallization for high reliabil 文件：127.93 Kbytes 页数：3 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi

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更多C1971供应商更新时间2025-9-21 14:14:00