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C1971	文件：127.93 Kbytes Page：3 Pages	型号：2SC1971；Package：T-30E；NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications) DESCRIPTION 2SC1971isasiliconNPNepitaxailplanartypetransistordesignedforRFPowerAmplifiersonVHFbandmobileradioapplications. FEATURES ●Highpowergain:Gpe≥10dB, @VCC=13.5V,Po=6W,f=175MHz ●Emitterballastedconstruction,goldmetallizationforhigh reliabil	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi

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C1971

文件：127.93 Kbytes

Page：3 Pages

型号：2SC1971；Package：T-30E；NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications)

DESCRIPTION 2SC1971isasiliconNPNepitaxailplanartypetransistordesignedforRFPowerAmplifiersonVHFbandmobileradioapplications. FEATURES ●Highpowergain:Gpe≥10dB, @VCC=13.5V,Po=6W,f=175MHz ●Emitterballastedconstruction,goldmetallizationforhigh reliabil

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱电机三菱电机株式会社

Mitsubishi

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更多C1971供应商更新时间2025-7-30 10:12:00

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