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2SB1430	文件：115.8 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(DARLINGTONCONNECTION)FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING The2SB1430isaDarlingtonpowertransistorthatcandirectlydrivefromtheICoutput.ThistransistorisidealformotordriversandsolenoiddriversinsuchasOAandFAequipment. Inaddition,thistransistorfeaturesasmallresin-moldedinsulationtypepackage,thuscontributingtohigh-de	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SB1430	文件：218.19 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Fpackage ·HighDCcurrentgain. ·Lowcollectorsaturationvoltage. ·DARLINGTON APPLICATIONS ·IdealformotordriversandsolenoiddriversInsuchasOAandFAequipment	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SB1430	文件：250.43 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-100V(Min) ·HighDCCurrentGain- :hFE=2000(Min)@(VCE=-2V,IC=-2A) ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-1.5V(Max)@(IC=-2A,IB=-2mA)B APPLICATIONS ·Designedforlow-frequencypowera	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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2SB1430	文件：128.389 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-100V(Min) •HighDCCurrentGain- :hFE=2000(Min)@(VCE=-2V,IC=-2A) •LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-1.5V(Max)@(IC=-2A,IB=-2mA) APPLICATIONS •Designedforlow-frequencypoweramplifiersandl	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SB1430	文件：267.28 Kbytes Page：8 Pages	SILICONPOWERTRANSISTOR PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(DARLINGTONCONNECTION) FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING The2SB1430isaDarlingtonpowertransistorthatcandirectly drivefromtheICoutput.Thistransistorisidealformotordrivers andsolenoiddriversinsuchasOAandFAeq	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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