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2SB1412	文件：265.26 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Small and slim package making it easy to make 2SB1205-used set smaller • Low collector-to-emitter saturation voltage • Fast switching speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Power amplifie 文件：265.26 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1412	文件：323.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -20V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 82(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed APPLICATIONS ·Relay drivers,High speed inverters,converters and other general high-current switching applications 文件：323.37 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1412	文件：304.33 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -20V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 82(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed APPLICATIONS ·Relay drivers,High speed inverters,converters and other general high-current switching applications 文件：304.33 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1412	文件：458.52 Kbytes Page：2 Pages	TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power Amplifier Applications 文件：458.52 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SB1412	文件：40.09 Kbytes Page：1 Pages	Low Frequency Transistor Features ● Low VCE(sat). ● PNP silicon transistor. 文件：40.09 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1412	文件：818.25 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package. Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package. Features Low VCE(sat),excellent DC current gain characteristics, complements the 2SD2118. Applications Medium power amplifier applications. 文件：818.25 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SB1412-251	文件：323.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -20V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 82(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed APPLICATIONS ·Relay drivers,High speed inverters,converters and other general high-current switching applications 文件：323.37 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1412-252	文件：304.33 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -20V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 82(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed APPLICATIONS ·Relay drivers,High speed inverters,converters and other general high-current switching applications 文件：304.33 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1412L-TN3-B-R	文件：100.53 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR ■ DESCRIPTION The UTC 2SB1412 is an epitaxial planar type PNP silicon transistor. ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A) 文件：100.53 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1412L-TN3-C-R	文件：100.53 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR ■ DESCRIPTION The UTC 2SB1412 is an epitaxial planar type PNP silicon transistor. ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A) 文件：100.53 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC

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晶体管资料

型号：
2SB1453
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD936F,2SB1015,2SB1094,2SB1375,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
5000000
atest：
3
wtest：
0

技术参数

Vcbo (V)：
-60
VCEO (V)：
-60
Vebo (V)：
-7
IC @25 °C (A)：
-3
VCE (sat) (V)：
-1
hFE：
100-400
Pc (W)：
25
fT (Typical) (GHz)：
0.005
Cob (Typical) (pF)：
80

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