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2SB1404	文件：244.43 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, IC= -1.5A) APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：244.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1404	文件：127.61 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage-.. :V(BR)cEo=-120V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, lc= -1.5A APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：127.61 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1405	文件：69.43 Kbytes Page：3 Pages	General Driver Applications??? General Driver Applications Features · Darlington connection. · High DC current gain. · Large current capacity, wide ASO. 文件：69.43 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1406	文件：68.05 Kbytes Page：3 Pages	Driver Applications??? PNP Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor Features • Darlington connection. • High DC current gain. • Large current capacity. Applications • Relay drivers, hammer drivers, lamp drivers, motor drivers. 文件：68.05 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1407	文件：31.03 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary Pair with 2SD2121(L)/(S) 文件：31.03 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SB1407L	文件：31.03 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary Pair with 2SD2121(L)/(S) 文件：31.03 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SB1407S	文件：31.03 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary Pair with 2SD2121(L)/(S) 文件：31.03 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SB1407S	文件：39.22 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxial ■ Features ● Low frequency power amplifier ● Complementary to 2SD2121 文件：39.22 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1409	文件：35.4 Kbytes Page：7 Pages	Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary Pair with 2SD2123(L)/(S) 文件：35.4 Kbytes 页数：7 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SB1409L	文件：35.4 Kbytes Page：7 Pages	Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary Pair with 2SD2123(L)/(S) 文件：35.4 Kbytes 页数：7 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

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晶体管资料

型号：
2SB1453
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD936F,2SB1015,2SB1094,2SB1375,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
5000000
atest：
3
wtest：
0

技术参数

Vcbo (V)：
-60
VCEO (V)：
-60
Vebo (V)：
-7
IC @25 °C (A)：
-3
VCE (sat) (V)：
-1
hFE：
100-400
Pc (W)：
25
fT (Typical) (GHz)：
0.005
Cob (Typical) (pF)：
80

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