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2SB1068	文件：84.29 Kbytes Page：1 Pages	PNP Plastic Encapsulated Transistor FEATURES • Low Collector Saturation Voltage • High DC Current Gain • High Collector Power Dissipation • Complementary of the 2SD1513 文件：84.29 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SB1068	文件：1.3617 Mbytes Page：4 Pages	丝印：B1068；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Collector Saturation Voltage High DC Current Gain High Collector Power Dissipation Complementary To The 2SD1513 NPN Transistor 文件：1.3617 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SB1068-TA	文件：1.3617 Mbytes Page：4 Pages	丝印：B1068；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Collector Saturation Voltage High DC Current Gain High Collector Power Dissipation Complementary To The 2SD1513 NPN Transistor 文件：1.3617 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SB1069	文件：95.93 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • High speed switching • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For low-voltage switching applications 文件：95.93 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1069	文件：138.78 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • High speed switching • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For low-voltage switching applications 文件：138.78 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1069	文件：166.26 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • High speed switching • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For low-voltage switching applications 文件：166.26 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1069A	文件：166.26 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • High speed switching • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For low-voltage switching applications 文件：166.26 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1069A	文件：138.78 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • High speed switching • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For low-voltage switching applications 文件：138.78 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1069A	文件：95.93 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • High speed switching • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For low-voltage switching applications 文件：95.93 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1063	文件：126.19 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：126.19 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

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晶体管资料

型号：
2SB1061
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
0.3A
最大工作频率：
15MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB1401,2SB1465,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
β=5000
图片代号：
B-10
vtest：
300
htest：
15000000
atest：
0.3
wtest：
15

详细参数

型号：
2SB106
制造商：
HITACHI
制造商全称：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
Silicon PNP Triple Diffused Low Frequency Power Amplifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SB1061	日立	22+	TO-220	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SB1063	MAT	24+		1841		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SB1063	MAT	23+	TO-220	20000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市旺财半导体有限公司	2SB1063	TOY	23+	TO	20000	正品原装货价格低	询价
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