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2SB1121	文件：189.59 Kbytes Page：4 Pages	Bipolar Transistor -25V, -2A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Large current capacity and wide SOA • Low collector to emitter saturation voltage • Fast switching speed • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s Applications • Voltage regulators, relay drivers, lamp dri 文件：189.59 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1121	文件：95.99 Kbytes Page：3 Pages	High-Current Driver Applications? Features ¥ Adoption of FBET, MBIT processes. ¥ Low collector-to-emitter saturation voltage. ¥ Large current capacity and wide ASO. ¥ Fast switching speed. ¥ Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid ICÕs. Applications ¥ Voltage regulators, relay drivers, lam 文件：95.99 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1121	文件：58.53 Kbytes Page：2 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors ■ Features ● Low collector-to-emitter saturation voltage. ● Large current capacity and wide ASO. ● Fast switching speed. ● Complementary to 2SD1621 文件：58.53 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1121	文件：93.48 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Driver Applications 文件：93.48 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1121	文件：106.21 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Driver Applications 文件：106.21 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1121	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管，-25V，-2A，低饱和压，PNP 单 PCP 2SB1121 is Bipolar Transistor, -25V, -2A, Low VCE(sat) PNP Single PCP. • Adoption of FBET, MBIT processes\n• Low collector-to-emitter saturation voltage\n• Large current capacity and wide ASO\n• Fast switching speed\n• Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1121S-TD-E	文件：189.59 Kbytes Page：4 Pages	Bipolar Transistor -25V, -2A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Large current capacity and wide SOA • Low collector to emitter saturation voltage • Fast switching speed • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s Applications • Voltage regulators, relay drivers, lamp dri 文件：189.59 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1121T-TD-E	文件：189.59 Kbytes Page：4 Pages	Bipolar Transistor -25V, -2A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Large current capacity and wide SOA • Low collector to emitter saturation voltage • Fast switching speed • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s Applications • Voltage regulators, relay drivers, lamp dri 文件：189.59 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1121_11	文件：106.21 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Driver Applications 文件：106.21 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1121_15	文件：1.44488 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.44488 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

晶体管资料

型号：
2SB1121
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1203,2SA1369,2SA1681,2SB1073,2SB1188,2SB1313,2SB1314,2SB1518,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
30
htest：
150000000
atest：
2
wtest：
0

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.6
IC Cont. (A)：
2
VCEO Min (V)：
25
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.85
hFE Min：
140
hFE Max：
280
fT Min (MHz)：
150
PTM Max (W)：
1.3
Package Type：
SOT-89/PCP-1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SB1121	SANYO	24+	SMD	7200	新进库存/原装	询价
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更多2SB1121供应商更新时间2026-1-17 16:30:00

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