2SB1121数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF
2SB1121规格书详情
描述 Description
2SB1121 is Bipolar Transistor, -25V, -2A, Low VCE(sat) PNP Single PCP.
特性 Features
• Adoption of FBET, MBIT processes
• Low collector-to-emitter saturation voltage
• Large current capacity and wide ASO
• Fast switching speed
• Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s
简介
2SB1121属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2SB1121晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:2SB1121
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:PNP
- Type
:Low VCE(sat)
- VCE(sat) Max (V)
:0.6
- IC Cont. (A)
:2
- VCEO Min (V)
:25
- VCBO (V)
:30
- VEBO (V)
:6
- VBE(sat) (V)
:0.85
- VBE(on) (V)
:-
- hFE Min
:140
- hFE Max
:280
- fT Min (MHz)
:150
- PTM Max (W)
:1.3
- Package Type
:SOT-89/PCP-1
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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