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2SB1121数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2SB1121

参数属性

2SB1121 封装/外壳为TO-243AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 25V 2A PCP

功能描述

双极晶体管,-25V,-2A,低饱和压,PNP 单 PCP
TRANS PNP 25V 2A PCP

封装外壳

TO-243AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 11:45:00

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2SB1121规格书详情

描述 Description

2SB1121 is Bipolar Transistor, -25V, -2A, Low VCE(sat) PNP Single PCP.

特性 Features

• Adoption of FBET, MBIT processes
• Low collector-to-emitter saturation voltage
• Large current capacity and wide ASO
• Fast switching speed
• Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s

简介

2SB1121属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2SB1121晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2SB1121

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.6

  • IC Cont. (A)

    :2

  • VCEO Min (V)

    :25

  • VCBO (V)

    :30

  • VEBO (V)

    :6

  • VBE(sat) (V)

    :0.85

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :140

  • hFE Max

    :280

  • fT Min (MHz)

    :150

  • PTM Max (W)

    :1.3

  • Package Type

    :SOT-89/PCP-1

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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