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2SB1064	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	丝印：C7；Package：TO-220；TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1064	文件：39.85 Kbytes Page：1 Pages	Epitaxial Planar PNP Silicon Transistor 文件：39.85 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1065	文件：134.6 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SD1506 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For use in low frequency power amplifier applications 文件：134.6 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1065	文件：160.14 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SD1506 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For use in low frequency power amplifier applications 文件：160.14 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1065	文件：128.5 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= -1.0V(Max)@IC= -2A • Wide Area of Safe Operation • Complement to Type 2SD1506 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：128.5 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1065	文件：105.4 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SD1506 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For use in low frequency power amplifier applications 文件：105.4 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1065	文件：39.87 Kbytes Page：1 Pages	Epitaxial Planar PNP Silicon Transistor Low Freq. Power Amp. Epitaxial Planar PNP Silicon Transistor 文件：39.87 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1067	文件：149.04 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (MICRO NOTER DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Micro-Moter Drive, Hammer Drive Applications Switching Applications Power Amplifier Applications • High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = −2 V, IC = −1 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = −1.5 V (max) (IC = −1 A, IB = −1 mA) 文件：149.04 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1068	文件：150.51 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SB1068 is designed for use in driver and output stages of audio frequency amplifiers. 文件：150.51 Kbytes 页数：2 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SB1068	文件：405.33 Kbytes Page：3 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Low Collector Saturation Voltage ● High DC Current Gain ● High Collector Power Dissipation ● Complementary To The 2SD1513 NPN Transistor 文件：405.33 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU

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晶体管资料

型号：
2SB1061
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
0.3A
最大工作频率：
15MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB1401,2SB1465,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
β=5000
图片代号：
B-10
vtest：
300
htest：
15000000
atest：
0.3
wtest：
15

详细参数

型号：
2SB106
制造商：
HITACHI
制造商全称：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
Silicon PNP Triple Diffused Low Frequency Power Amplifier

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