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2SA1931	文件：133.11 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Switching Applications High-CurrentSwitchingApplications •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=−0.4V(max) •High-speedswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) •Complementaryto2SC4881	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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2SA1931,KEHINQ(M	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-220-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 5A TO220NIS	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
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晶体管资料

型号：
2SA1931
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）_LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1307,2SA1387,2SA1469,2SA1741,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
999900
atest：
5
wtest：
25

详细参数

型号：
2SA1931
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP 50V 5A Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多2SA1931供应商更新时间2024-5-16 12:45:00

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