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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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深圳市力仕科电子科技有限公司

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深圳市南科功率半导体有限公司

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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深圳市芯球通科技有限公司

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深圳市壹芯创科技有限公司

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深圳市润联芯城科技有限公司

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ON/安森美SOT-89

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深圳市华来深电子有限公司

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深圳市讯顺达科技有限公司

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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ROHM/罗姆SOT-523

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深圳市盈慧通电子有限公司

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2SA2016-TD-E

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深圳市美思瑞电子科技有限公司

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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2SA201功能描述:2SA203

2SA2010制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer type

2SA201000L功能描述:TRANS PNP HF 15VCEO 2.5A MINI 3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR

2SA2011制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC/DC Converter Applications

2SA2012制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR

2SA2012_11制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications

2SA2012_12制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications

2SA2012-TD-E功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2SA2013制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications

2SA2013_05制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications

晶体管资料

  • 型号：

    2SA201

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Ge-PNP

  • 性质：

    调幅 （AM）_前置放大 （V）_混频 （M）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    15V

  • 最大电流允许值：

    0.015A

  • 最大工作频率：

    8MHZ

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

    AF124,AF125,AF126,AF127,AF200,2N3323,2N3324,2N3325,2SA101,2SA102,2SA103,2SA104,3AG5A,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    C-47

  • vtest：

    15

  • htest：

    8000000

  • atest：

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  • wtest：

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