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2SA2018TL

PNP Low VCE(sat) Transistor

ROHM

罗姆

2SA2018TL

Package:SC-75,SOT-416;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 12V 0.5A EMT3

ROHM

罗姆

2SA2018

Low frequency transistor

Features 1) High current. 2) Collector-Emitter saturation voltage is low. VCE(sat)≦250mA at IC=-200mA/IB=-10mA Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER, DRIVER

文件:80.68 Kbytes 页数:3 Pages

ROHM

罗姆

2SA2018

Low Frequency Transistor

Features ● A collector current is large ● Collector saturation voltage is low. VCE(sat) ≤ 250mA at IC=200mA/IB=10mA

文件:35.33 Kbytes 页数:1 Pages

KEXIN

科信电子

2SA2018F

PNP Silicon General Purpose Transistor

FEATURES High Collector Current Low VCE(sat) - VCE(sat)≤-250mV at IC = -200mA/IB=-10mA

文件:143.4 Kbytes 页数:2 Pages

SECOS

喜可士

产品属性

  • 产品编号:

    2SA2018TL

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 10mA,200mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    270 @ 10mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    260MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-75,SOT-416

  • 供应商器件封装:

    EMT3

  • 描述:

    TRANS PNP 12V 0.5A EMT3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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