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2SA201	文件：33.43 Kbytes Page：1 Pages	2SA203 2SA203 文件：33.43 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SA2010	文件：50.73 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type Silicon PNP epitaxial planar type For DC-DC converter For various driver circuits ■ Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • High-speed switching • Mini type package, allowing downsizing and thinning of the equipment and automatic insertion through the tape packing. 文件：50.73 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SA2011	文件：50.04 Kbytes Page：5 Pages	DC/DC Converter Applications DC/DC Converter Applications Features · Adoption of MBIT processes. · Large current capacitance. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · High-speed switching. · Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim. · High allowable power dissipation. Applicat 文件：50.04 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA2012	文件：49.56 Kbytes Page：5 Pages	DC/DC Converter Applications DC / DC Converter Applications Features • Adoption of MBIT processes. • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim. • High allowable power dissipation. Applications • Relay drivers, 文件：49.56 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA2012	文件：81.72 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor ??0V, ??A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Features • Adoption of MBIT processes • Large current capacity • Low collector to emitter saturation voltage • Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash 文件：81.72 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2012-TD-E	文件：81.72 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor ??0V, ??A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Features • Adoption of MBIT processes • Large current capacity • Low collector to emitter saturation voltage • Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash 文件：81.72 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2013	文件：364.43 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package facilitales miniaturization in end products • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers, lamp dr 文件：364.43 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2013	文件：50.17 Kbytes Page：5 Pages	DC/DC Converter Applications DC / DC Converter Applications Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package facilitales miniaturization in end products • High allowable power dissipation Applicaitons • 文件：50.17 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA2013-TD-E	文件：364.43 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package facilitales miniaturization in end products • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers, lamp dr 文件：364.43 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2014	文件：49.6 Kbytes Page：5 Pages	DC/DC Converter Applications DC/DC Converter Applications Features · Adoption of MBIT processes. · Large current capacitance. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · High-speed switching. · Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim. · High allowable power dissip 文件：49.6 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO

晶体管资料

型号：
2SA201
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
调幅（AM）_前置放大（V）_混频（M）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
15V
最大电流允许值：
0.015A
最大工作频率：
8MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
AF124,AF125,AF126,AF127,AF200,2N3323,2N3324,2N3325,2SA101,2SA102,2SA103,2SA104,3AG5A,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
C-47
vtest：
15
htest：
8000000
atest：
0.015
wtest：
0

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.21
IC Cont. (A)：
5
VCEO Min (V)：
30
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
0.83
hFE Min：
200
hFE Max：
560
PTM Max (W)：
1.3
Package Type：
SOT-89/PCP-1

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