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2SA2012-TD-E	文件：81.72 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor ??0V, ??A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Features • Adoption of MBIT processes • Large current capacity • Low collector to emitter saturation voltage • Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash 文件：81.72 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2012-TD-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 5A PCP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2012	文件：81.72 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor ??0V, ??A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Features • Adoption of MBIT processes • Large current capacity • Low collector to emitter saturation voltage • Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash 文件：81.72 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2012	文件：92.81 Kbytes Page：5 Pages	DC / DC Converter Applications 文件：92.81 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA2012	文件：93.6 Kbytes Page：5 Pages	DC / DC Converter Applications 文件：93.6 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO

产品属性

产品编号：
2SA2012-TD-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
210mV @ 30mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
420MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
PCP
描述：
TRANS PNP 30V 5A PCP

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