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2SA205	文件：92.86 Kbytes Page：1 Pages	General Purpose Amplifier [HIROO] General Purpose Amplifier ■ Features ● Collector current to 500mA 文件：92.86 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SA2056	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA2056	文件：191.48 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications • High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = −0.5 A) • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = −0.2 V (max) • High-speed switching: tf = 90 ns (typ.) 文件：191.48 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA2057	文件：80.88 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type Power supply for audio & visual equipments such as TVs and VCRs Industrial equipments such as DC-DC converters ■ Features • High speed switching (tstg: storage time/tf: fall time is short) • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • Superior forward current transfer 文件：80.88 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SA2058	文件：42.25 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Epitaxial Type Features ● High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = -0.2 A) ● Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = -0.19 V (max) ● High-speed switching: tf = 25 ns (typ.) 文件：42.25 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA2058	文件：196.1 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications • High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = −0.2 A) • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = −0.19 V (max) • High-speed switching: tf = 25 ns (typ.) 文件：196.1 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA2058	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA2059	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA2059	文件：182.74 Kbytes Page：5 Pages	SILICON PNP EPITAXIAL TYPE High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications • High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = −0.5 A) • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = −0.19 V (max) • High-speed switching: tf = 40 ns (typ.) 文件：182.74 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA205H	文件：92.86 Kbytes Page：1 Pages	General Purpose Amplifier [HIROO] General Purpose Amplifier ■ Features ● Collector current to 500mA 文件：92.86 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

晶体管资料

型号：
2SA205
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
射频/高频放大（HF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
ASY26,ASY27,ASY48,2N1302,3AK32,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
图片代号：
D-9
vtest：
30
htest：
5000000
atest：
0.2
wtest：
0.2

技术参数

封装：
CPT3
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes

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