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2SA200	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信号晶体管	ST 意法半导体	ST
2SA2002	文件：84.31 Kbytes Page：3 Pages	FOR HIGH CURRENT APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE MICRO(FRAME TYPE) DESCRIPTION 2SA2002 is a silicon PNP exitaxial type transistor designed with high collector current, small VCE(sat). APPLICATION Small type motor drive, relay drive, power supply application. 文件：84.31 Kbytes 页数：3 Pages	ISAHAYA 谏早电子	ISAHAYA
2SA2004	文件：268.9 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Silicon PNP epitaxial planner type • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Power amplifier applications • Driver stage amplifier applications 文件：268.9 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA2004	文件：34.48 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type Silicon PNP epitaxial planar type For power amplification ■ Features • High forward current transfer ratio hFE • Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE • Dielectric breakdown voltage of the package: > 5 kV • High−speed switching 文件：34.48 Kbytes 页数：1 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SA2005	文件：53.5 Kbytes Page：2 Pages	For Audio Amplifier output - TV Velosity Modulation (-160V,-1.5A) Features 1) Electrical characteristics of DC current gain hFE is flat. 2) High breakdown voltage. (BVCEO= 160V(Min.), at IC= 1mA) 3) High fT. (Typ. 150MHz, at VCE= 10V, IE=0.2A, f=100MHz) 4) Wide SOA. Applications Power amplifier Velosity modulation Structure PNP Silicon Epitaxia 文件：53.5 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SA2007	文件：55.3 Kbytes Page：1 Pages	High-speed Switching Transistor (−60V,−12A) Features 1) High switching speed. (Typ. tf = 0.15µs at Ic = −6A) 2) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat)= −0.2V at IC / IB = −6A / −0.3A) 3) Wide SOA. (safe operating area) 4) Complements the 2SC5526. 文件：55.3 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SA2009	文件：43.8 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency high breakdown voltage amplification ■ Features • High collector to emitter voltage VCEO • Low noise voltage NV 文件：43.8 Kbytes 页数：1 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SA2006	文件：57.59 Kbytes Page：1 Pages	For high speed switching (−60V, −5A) 文件：57.59 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SA2006	文件：57.59 Kbytes Page：1 Pages	For high speed switching (−60V, −5A 文件：57.59 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SA2005	文件：300 bytes Page：1 Pages	Driver Transistor 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
2SA200
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
调幅（AM）_前置放大（V）_混频（M）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
15V
最大电流允许值：
0.005A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AF124,AF125,AF126,AF200,2N3323,2N3324,2N3325,2SA201,2SA202,2SA203,3AG54B,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
C-47
vtest：
15
htest：
999900
atest：
0.005
wtest：
0

技术参数

Ptot：
625
IC：
0.5
VCBO：
-60
VCEO：
50
VEBO：
-5
hFE_VCE(V)：
-6
hFE_IC(mA)：
-400
Package Outline：
TO-92
Arrays：
ECB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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