2SA2005中文资料罗姆数据手册PDF规格书
2SA2005规格书详情
特性 Features
1) Electrical characteristics of DC current gain hFE is flat.
2) High breakdown voltage. (BVCEO= 160V(Min.), at IC= 1mA)
3) High fT. (Typ. 150MHz, at VCE= 10V, IE=0.2A, f=100MHz)
4) Wide SOA.
Applications
Power amplifier
Velosity modulation
Structure
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
产品属性
- 型号:
2SA2005
- 功能描述:
TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-220FN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
TO-220FN |
9000 |
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ROHM |
12+ |
TO-220FN |
500 |
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ROHM/罗姆 |
2023+ |
TO-220FN |
1000 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
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ROHM/罗姆 |
22+ |
TO-220F |
6000 |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220F-3 |
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ROHM/罗姆 |
21+ |
TO-220FN |
20000 |
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ROHM/罗姆 |
25+ |
NA |
880000 |
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罗姆 |
24+ |
TO-220 |
6430 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-220F-3 |
60000 |
询价 | |||
ROHM/罗姆 |
2540+ |
TO-220F |
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