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2SA1942	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1942	文件：178.23 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PL package ·Complement to type 2SC5199 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommended for 80W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：178.23 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1942	文件：208.31 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PL package ·Complement to type 2SC5199 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommended for 80W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：208.31 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1942	文件：132.51 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO= −160 V (min) • Complementary to 2SC5199 • Recommended for 80-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：132.51 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1942	文件：74.52 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO=-160V(Min) • Complement to Type 2SC5199 APPLICATIONS • Power amplifier applications • Recommend for SOW high fidelity audio frequency amplifier output stage applications 文件：74.52 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1942	文件：227.65 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PL package ·Complement to type 2SC5199 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommended for 80W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：227.65 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1942	文件：141.45 Kbytes Page：5 Pages	Power Amplifier Applications 文件：141.45 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1942	文件：208.31 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：208.31 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1942	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for high-speed switching applications Application Scope：Audio amplifier output stage 80-W\nPolarity：PNP\nComplementary Product：2SC5199\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC -12 A \nCollector power dissipation PC 120 W \nCollector-emitter voltage VCEO -160 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SA1942	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 160V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
2SA1942
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_HIFI_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
12A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1302,2SB1317,2SB1429,
最大耗散功率：
120W
放大倍数：
图片代号：
B-62
vtest：
180
htest：
30000000
atest：
12
wtest：
120

技术参数

Polarity：
PNP
Features：
Power Amps Output Stage
VCEO(Max)(V)：
-160
IC(Max)(A)：
-12
hFE(Min)：
55
hFE(Max)：
160
VCE(sat)(Max)(V)：
-2.5
fT(Typ.)(MHz)：
30
ComplementaryProduct：
2SC5199
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name：
TO-3P(L)
Width×Length×Height(mm)：
20.0 x 26.0 x 5.0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SA1942供应商更新时间2026-3-9 18:10:00

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