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2SA1900

iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-50V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=-0.4V(Max)@IC=-500mA

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

2SA1900

Mediumpowertransistor

Features ●Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=-0.15VatIC/IB=-500mA/-50mA ●PC=2W(on40X40X0.7mmceramicboard)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

2SA1900

MediumPowerTransistor(-50V,-1A)

Features 1)Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=−0.15VatIC/IB=−500mA/−50mA 2)PC=2W(on40×40×0.7mmceramicboard) 3)Complementsthe2SC5053

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

2SA1900U

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半导体先之科半导体科技(东莞)有限公司

晶体管资料

  • 型号:

    2SA1900P

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_LO_SAT

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    150MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

    β=82-180

  • 图片代号:

    H-100

  • vtest:

    60

  • htest:

    150000000

  • atest:

    1

  • wtest:

    0

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOT89
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更多2SA1900P供应商 更新时间2025-5-25 11:10:00