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2SA1993

FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE MICRO

FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION FEATURE ・ Super mini package for easy mounting ・Excellent linearity of DC forward gain ・Small collector to emitter saturation voltage VCE(sat)=-0.3V max APPLICATION For Hybrid IC,small type machine low frequency voltage Amplify appli

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ISAHAYA

谏早电子

2SA1993

FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(Super mini type)

FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION FEATURE ・ Super mini package for easy mounting ・Excellent linearity of DC forward gain ・Small collector to emitter saturation voltage VCE(sat)=-0.3V max APPLICATION For Hybrid IC,small type machine low frequency voltage Amplify appli

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ISAHAYA

谏早电子

2SA1998

FOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE MICRO(FRAME TYPE)

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ISAHAYA

谏早电子

2SA1993

FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE MICRO

IDC

IDC

2SA1995

450mW Lead frame PNP transistor, maximum rating: -50V Vceo, -100mA Ic, 120 to 560 hFE.

IDC

IDC

晶体管资料

  • 型号:

    2SA1993

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    通用型 (Uni)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.2A

  • 最大工作频率:

    200MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC212,BC307,BC557,2SA1137,2SB725,

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-57

  • vtest:

    50

  • htest:

    200000000

  • atest:

    0.2

  • wtest:

    0.3

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更多2SA199供应商 更新时间2026-4-17 16:30:00