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2SA2202	文件：87.3 Kbytes Page：4 Pages	Bipolar Transistor -100V, -2A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Large current capacity • Low collector to emitter saturation voltage • High-speed switching • High allowable power dissipation Applicaitons • DC / DC converters, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash 文件：87.3 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2202	文件：64.019 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • High allowable power dissipation. Applications • DC / DC converters, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash. 文件：64.019 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA2202-TD-E	文件：87.3 Kbytes Page：4 Pages	Bipolar Transistor -100V, -2A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Large current capacity • Low collector to emitter saturation voltage • High-speed switching • High allowable power dissipation Applicaitons • DC / DC converters, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash 文件：87.3 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2203	文件：43.93 Kbytes Page：4 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • High allowable power dissipation. Applications • DC / DC converter, Relay drivers, lamp drivers, motor drivers. 文件：43.93 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA2204	文件：44.07 Kbytes Page：4 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • High allowable power dissipation. Applications • DC / DC converter, Relay drivers, lamp drivers, motor drivers. 文件：44.07 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA2205	文件：44.55 Kbytes Page：4 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • High allowable power dissipation. Applications • DC / DC converter, Relay drivers, lamp drivers, motor drivers. 文件：44.55 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA2205	文件：365.01 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor -100V, -2A, Low VCE(sat), PNP Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • High allowable power dissipation Applications • DC / DC converter, Relay drivers, lamp drivers, motor drivers 文件：365.01 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2205-E	文件：365.01 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor -100V, -2A, Low VCE(sat), PNP Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • High allowable power dissipation Applications • DC / DC converter, Relay drivers, lamp drivers, motor drivers 文件：365.01 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2205-TL-E	文件：365.01 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor -100V, -2A, Low VCE(sat), PNP Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • High allowable power dissipation Applications • DC / DC converter, Relay drivers, lamp drivers, motor drivers 文件：365.01 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2206	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	丝印：4K；Package：PW-Mini；Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
2SA2210
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 350mA，7A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 1A，2V
频率 - 跃迁：
140MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220F-3SG
描述：
TRANS PNP 50V 20A TO220F-3SG

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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