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2SA2207	文件：276.35 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 200(Min)@ IC= -270mA ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：276.35 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA2207	文件：295.39 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 200(Min)@ IC= -270mA ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：295.39 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA2207	文件：59.42 Kbytes Page：4 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 13A High-Speed Switching Applications Features • Adoption of MBIT processes. • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. Applications • High-speed switching applications (switching regulators, drive circuit). 文件：59.42 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA2207-251	文件：295.39 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 200(Min)@ IC= -270mA ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：295.39 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA2207-252	文件：276.35 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 200(Min)@ IC= -270mA ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：276.35 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA2209	文件：276.06 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 200(Min)@ IC= -330mA ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：276.06 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA2209	文件：295.1 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 200(Min)@ IC= -330mA ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：295.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA2209	文件：60.2 Kbytes Page：4 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 15A High-Speed Switching Features • Adoption of MBIT processes. • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. Applications • High-speed switching applications (switching regulator, driver circuit). 文件：60.2 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA2209-251	文件：295.1 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 200(Min)@ IC= -330mA ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：295.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA2209-252	文件：276.06 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 200(Min)@ IC= -330mA ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：276.06 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

产品属性

产品编号：
2SA2202-TD-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
240mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
PCP
描述：
TRANS PNP 100V 2A PCP

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