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2SA2222	文件：63.18 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Switching Applications High-Current Switching Applications Features • Adoption of MBIT process. • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. 文件：63.18 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA2222B	文件：483.01 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor FEATURES ·Low Collector-to-emitter Saturation Voltage ·Large Current Capacitance ·High-speed Switching DESCRIPTION ·Relay drivers ·Lamp drivers ·Motor drivers 文件：483.01 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA2222SG	文件：265.94 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Large current capacitance • High-speed switching • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • relay drivers,lamp drivers,motor drivers 文件：265.94 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA2222SG	文件：245.83 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor -50V, -10A, Low VCE(sat) PNP TO-220F-3FS Features • Adoption of MBIT process • Large current capacity (IC=--10A) • Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat)=--250mV(typ.)) • High-speed switching (tf=22ns(typ.)) Applications • Relay drivers, lamp drivers, motor drivers 文件：245.83 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2222SG	文件：303.89 Kbytes Page：4 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications Features • Adoption of MBIT process • Large current capacitance (IC=--10A) • Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat)=--250mV(typ.)) • High-speed switching (tf=22ns(typ.)) Applications • Relay drivers, lamp drivers, motor drivers 文件：303.89 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA2210	文件：249.08 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications 文件：249.08 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA2210_12	文件：249.08 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications 文件：249.08 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA2223	文件：226.4 Kbytes Page：6 Pages	Audio Amplification Transistor 文件：226.4 Kbytes 页数：6 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
2SA2223	文件：269.36 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor 文件：269.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA2223A	文件：253.15 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor 文件：253.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

产品属性

产品编号：
2SA2210
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 350mA，7A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 1A，2V
频率 - 跃迁：
140MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220F-3SG
描述：
TRANS PNP 50V 20A TO220F-3SG

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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