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iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-50V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=-0.4V(Max)@IC=-500mA | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
Mediumpowertransistor Features ●Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=-0.15VatIC/IB=-500mA/-50mA ●PC=2W(on40X40X0.7mmceramicboard) | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
MediumPowerTransistor(-50V,-1A) Features 1)Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=−0.15VatIC/IB=−500mA/−50mA 2)PC=2W(on40×40×0.7mmceramicboard) 3)Complementsthe2SC5053 | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor | SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司 | SEMTECH_ELEC |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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