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2SA1930	文件：119.12 Kbytes Page：5 Pages	Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS. 文件：119.12 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1930	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1930	文件：88.78 Kbytes Page：2 Pages	Complementary to 2SC5171 DESCRIPTION ·High Transition Frenquency : fT=200MHz(Typ.) ·Complementary to 2SC5171 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：88.78 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1930	文件：279.59 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -180V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):-1.0V(Max) @IC= -1A APPLICATIONS · Switching Regulators · Converters · Power Amplifiers 文件：279.59 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1930	文件：67.79 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • High Transition Frenquency : fr=200MHz(Typ.) • Complementary to 2SC5171 APPLICATIONS • Power amplifier applications • Driver stage amplifier applications 文件：67.79 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1930	文件：1.00528 Mbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-220F Plastic Package. Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-220F Plastic Package. Features High fT, complementary pair with 2SC5171. Applications General power and driver stage amplifier applications. 文件：1.00528 Mbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SA1930I	文件：876.75 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-251 Plastic Package. Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-251 Plastic Package. Features High fT, complementary pair with 2SC5171I. Applications General power and driver stage amplifier applications. 文件：876.75 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SA1930S	文件：922.4 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-126 Plastic Package. Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-126 Plastic Package. Features High fT, complementary pair with 2SC5171S. Applications General power and driver stage amplifier applications. 文件：922.4 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SA1931	文件：133.11 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Switching Applications High-Current Switching Applications • Low saturation voltage: VCE (sat) = −0.4 V (max) • High-speed switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) • Complementary to 2SC4881 文件：133.11 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1932	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
2SA1930
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
电视（TV）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1306A,2SA1606,2SA1859A,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
180
htest：
200000000
atest：
2
wtest：
20

技术参数

VCBO/(V)：
-180
VCEO/(V)：
-180
IC/(A)：
-2
PC/(W)：
20
hFE(min）：
100
hFE（max）：
320
VCE（sat）(V)：
-1
VCE@IC/(A)：
-1
VCE@IB/(A)：
-0.1
Package：
TO-220F

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