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2SA1939	文件：237.01 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3P(I) package • Complement to type 2SC5196 APPLICATIONS • Power amplifier applications • Recommend for 40W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：237.01 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1932	文件：269.2 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：269.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1939	文件：237.01 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：237.01 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1939_15	文件：237.01 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：237.01 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1930	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) POWER AMPLIFIER AND DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS	Toshiba 东芝	Toshiba
2SA1930	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 180V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS	NJS	NJS
2SA1930	文件：300 bytes Page：1 Pages	音频功放晶体管	THUNDER 中科创达	THUNDER
2SA1930(ONK,Q,M)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 180V 2A TO220NIS	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930(Q,M)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 180V 2A TO220NIS	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,CKQ(J	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 180V 2A TO220NIS	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

晶体管资料

型号：
2SA1930
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
电视（TV）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1306A,2SA1606,2SA1859A,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
180
htest：
200000000
atest：
2
wtest：
20

技术参数

VCBO/(V)：
-180
VCEO/(V)：
-180
IC/(A)：
-2
PC/(W)：
20
hFE(min）：
100
hFE（max）：
320
VCE（sat）(V)：
-1
VCE@IC/(A)：
-1
VCE@IB/(A)：
-0.1
Package：
TO-220F

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