2SA1930中文资料TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) POWER AMPLIFIER AND DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS数据手册Toshiba规格书
| 厂商型号 |
2SA1930 |
| 参数属性 | 2SA1930 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 180V 2A TO220NIS |
| 功能描述 | TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) POWER AMPLIFIER AND DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
| 中文名称 | 东芝 株式会社东芝 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-2 22:58:00 |
| 人工找货 | 2SA1930价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
技术参数
- 产品编号：
2SA1930(ONK,Q,M)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，5V
- 频率 - 跃迁：
200MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220NIS
- 描述：
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
2016+ |
TO-220 |
6600 |
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TOS |
NEW |
TO-220 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TO-220 |
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Toshiba |
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TO-220 |
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TOSHIBA |
24+ |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA |
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TO-220 |
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