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2SA1940	文件：207.72 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3P(I) package ·Complement to type 2SC5197 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 55W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：207.72 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1940	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1940	文件：148.54 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications • Complementary to 2SC5197 • Recommended for 55-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：148.54 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1941	文件：163.38 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = −140 V (min) • Complementary to 2SC5198 • Recommended for 70-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. 文件：163.38 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1941	文件：163.38 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = −140 V (min) • Complementary to 2SC5198 • Recommended for 70-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. 文件：163.38 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1941	文件：163.38 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications4 Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = −140 V (min) • Complementary to 2SC5198 • Recommended for 70-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. 文件：163.38 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1941	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1941	文件：147.68 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = −140 V (min) • Complementary to 2SC5198 • Recommended for 70-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. 文件：147.68 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1941	文件：201.99 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3P(I) package ·Complement to type 2SC5198 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 70W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：201.99 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1941	文件：157.75 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)=- 2.0V(Min) @IC=- 7A ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type 2SC5198 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 70W high fidelity audio frequency amplifier output stage applications 文件：157.75 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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技术参数

NPN/PNP：
PNP
Vcbo (V)：
-200
VCEO (V)：
-200
Vebo (V)：
-5
IC (A) @25 °C：
-7
VCE(sat) (V) max.：
-2
hFE min.：
70
hFE max.：
200
Pc (W)：
100
fT (MHz) typ.：
40
Cob (pF) typ.：
270
Package Type：
MP-88
Production Status：
EOL

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