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2SA1989_10

FORLOW FERQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE

文件:378.71 Kbytes 页数:4 Pages

ISAHAYA

谏早电子

2SA1998

FOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE MICRO(FRAME TYPE)

文件:99 Kbytes 页数:4 Pages

ISAHAYA

谏早电子

2SA1905

Power transistor for high-speed switching applications

Polarity:PNP\nComplementary Product:2SC5076\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available Collector Current IC -5 A \nCollector-emitter voltage VCEO -50 V ;

Toshiba

东芝

2SA1900U

功率三极管

ST

意法半导体

2SA1900U

PNP小信号三极管

CBI

创基电子

2SA1907

Package:TO-3P-3 整包;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 80V 6A TO3PF

SANKEN

三垦

2SA1908

Package:TO-3P-3 整包;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 120V 8A TO3PF

SANKEN

三垦

2SA1909

Package:TO-3P-3 整包;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 140V 10A TO3PF

SANKEN

三垦

技术参数

  • NPN/PNP:

    PNP

  • Vcbo (V):

    -200

  • VCEO (V):

    -200

  • Vebo (V):

    -5

  • IC (A) @25 °C:

    -7

  • VCE(sat) (V) max.:

    -2

  • hFE min.:

    70

  • hFE max.:

    200

  • Pc (W):

    100

  • fT (MHz) typ.:

    40

  • Cob (pF) typ.:

    270

  • Package Type:

    MP-88

  • Production Status:

    EOL

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更多2SA19供应商 更新时间2026-3-10 17:59:00