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2SA1611	文件：1.88523 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High DC Current Gain High Voltage Complementary to 2SC4177 文件：1.88523 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SA1611	文件：124.09 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (PNP) TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 0.15 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃to +150℃ 文件：124.09 Kbytes 页数：2 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SA1611	文件：128.52 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors SOT-323 Plastic-Encapsulated Transistors FEATURES Power dissipation PCM : 0.15 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃to +150℃ 文件：128.52 Kbytes 页数：2 Pages	TEL	TEL
2SA1611M4	文件：1.60625 Mbytes Page：3 Pages	丝印：M4；Package：SOT-323；PNP Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ● High DC Current Gain ● High Voltage ● Complementary to 2SC4177 文件：1.60625 Mbytes 页数：3 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SA1611M5	文件：1.60625 Mbytes Page：3 Pages	丝印：M5；Package：SOT-323；PNP Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ● High DC Current Gain ● High Voltage ● Complementary to 2SC4177 文件：1.60625 Mbytes 页数：3 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SA1611M6	文件：1.60625 Mbytes Page：3 Pages	丝印：M6；Package：SOT-323；PNP Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ● High DC Current Gain ● High Voltage ● Complementary to 2SC4177 文件：1.60625 Mbytes 页数：3 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SA1611M7	文件：1.60625 Mbytes Page：3 Pages	丝印：M7；Package：SOT-323；PNP Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ● High DC Current Gain ● High Voltage ● Complementary to 2SC4177 文件：1.60625 Mbytes 页数：3 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SA1611W	文件：206.7 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES High voltage VCEO=-50V. Excellent HFELinearity. High DC current gain : hFE=200 typ. Complementary to 2SC4177. APPLICATIONS Audio frequency general purpose amplifier applications. 文件：206.7 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1612	文件：46.55 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistor ■ Features ● High DC Current Gain ● Complementary to 2SC4180 文件：46.55 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1612	文件：192.43 Kbytes Page：4 Pages	AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES ● Complementary to 2SC4180 ● High DC Current Gain: hFE 500 TYP. (VCE = -6.0 V, IC = -1.0 mA) 文件：192.43 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC

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晶体管资料

型号：
2SA1612
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
>50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1578,2SA1579,2SA1587,2SB1220,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
120
htest：
50000100
atest：
0.05
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
-120
IC @25 °C (A)：
-0.05
VCE (sat) (V)：
-0.3
hFE：
135-900
Pc (W)：
0.15
fT (Typical) (GHz)：
0.09
Cob (Typical) (pF)：
2

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