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2SA1612	文件：192.43 Kbytes Page：4 Pages	AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES ● Complementary to 2SC4180 ● High DC Current Gain: hFE 500 TYP. (VCE = -6.0 V, IC = -1.0 mA) 文件：192.43 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA1612	文件：321.19 Kbytes Page：6 Pages	SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：321.19 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA1612	文件：46.55 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistor ■ Features ● High DC Current Gain ● Complementary to 2SC4180 文件：46.55 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1612	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Bipolar Transistors Support is limited to customers who have already adopted these products.	Renesas 瑞萨	Renesas
2SA1612_15	文件：1.21946 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.21946 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1612-C15	文件：1.21946 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.21946 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1612-C16	文件：1.21946 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.21946 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1612-C17	文件：1.21946 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.21946 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1612-C18	文件：1.21946 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.21946 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

技术参数

VCEO (V)：
-120
IC @25 °C (A)：
-0.05
VCE (sat) (V)：
-0.3
hFE：
135-900
Pc (W)：
0.15
fT (Typical) (GHz)：
0.09
Cob (Typical) (pF)：
2

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