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2SA1241	文件：322.29 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.5A ·High transition frequency ·Complementary to 2SC3076 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：322.29 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1241	文件：303.23 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.5A ·High transition frequency ·Complementary to 2SC3076 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：303.23 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1241-251	文件：322.29 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.5A ·High transition frequency ·Complementary to 2SC3076 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：322.29 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1241-252	文件：303.23 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.5A ·High transition frequency ·Complementary to 2SC3076 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：303.23 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1241-O	文件：189 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low Collector saturation voltage: VCE (sat) = −0.5 V (max) (IC = −1 A) • Excellent switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) • Complementary to 2SC3076 文件：189 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1241-Y	文件：189 Kbytes Page：5 Pages	Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low Collector saturation voltage: VCE (sat) = −0.5 V (max) (IC = −1 A) • Excellent switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) • Complementary to 2SC3076 文件：189 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1242	文件：324.64 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·hFE=100-320(IC= -0.5A; VCE= -2V) ·hFE=70(Min)(IC= -4A; VCE= -2V) ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -1.0V(Max)( IC= -4A; IB= -0.1A) ··High Power Dissipation- : PC= 10W@TC=25℃,PC= 10W@Ta=25℃ APPLICATIONS ·For medium power amplifier and strobe flash applicati 文件：324.64 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1242	文件：305.59 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·hFE=100-320(IC= -0.5A; VCE= -2V) ·hFE=70(Min)(IC= -4A; VCE= -2V) ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -1.0V(Max)( IC= -4A; IB= -0.1A) ··High Power Dissipation- : PC= 10W@TC=25℃,PC= 10W@Ta=25℃ APPLICATIONS ·For medium power amplifier and strobe flash applicati 文件：305.59 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1242	文件：150.32 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISOTOR (STROBE FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications • Excellent hFE linearity : hFE (1) = 100 to 320 (VCE = −2 V, IC = −0.5 A) : hFE (2) = 70 (min) (VCE = −2 V, IC = −4 A) • Low collector saturation voltage : VCE (sat) = −1.0 V (max) (IC = −4 A, IB = −0.1 A) • High pow 文件：150.32 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1242	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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晶体管资料

型号：
2SA1222
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
160V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
45MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2N5401,2SA840,2SA1013,2SA1248,2SA1319,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
A-70
vtest：
160
htest：
45000000
atest：
0.5
wtest：
1

技术参数

VCEO (V)：
160
hFE min.：
100
hFE max.：
400
Pc (W)：
1
Production Status：
EOL

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