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2SA1235A	文件：135.71 Kbytes Page：3 Pages	丝印：ME；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Small collector to emitter saturation voltage VCE(sat)=-0.3V max(@IC=-100mA,IB=-10mA). ● Excellent lineary DC forward current gain. ● Super mini package for easy mounting. APPLICATIONS ● PNP epitaxial type transistor designed for low frequency. ● Voltage amplify application. 文件：135.71 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1235A	文件：854.34 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Power dissipation PCM : 0.2 W（ Tamb=25℃） Collector current ICM: -0.2 A Collector-base voltage V(BR) CBO: -60 V Operating and storage junction temperature range TJ， Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：854.34 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA1237	文件：382.86 Kbytes Page：5 Pages	DIFFERENTIAL AMP APPLICATIONS Differential Amp Applications 文件：382.86 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1238	文件：438.5 Kbytes Page：5 Pages	DIFFERENTIAL AMP APPLICATIONS 文件：438.5 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1239	文件：354.06 Kbytes Page：4 Pages	DIFFERENTIAL AMP APPLICATIONS Differential Amp Applications 文件：354.06 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1240	文件：438.19 Kbytes Page：5 Pages	DIFFERENTIAL AMP APPLICATIONS Differential Amp Applications 文件：438.19 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1241	文件：184.65 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low Collector saturation voltage: VCE (sat) = −0.5 V (max) (IC = −1 A) • Excellent switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) • Complementary to 2SC3076 文件：184.65 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1241	文件：189 Kbytes Page：5 Pages	Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low Collector saturation voltage: VCE (sat) = −0.5 V (max) (IC = −1 A) • Excellent switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) • Complementary to 2SC3076 文件：189 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1241	文件：189 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low Collector saturation voltage: VCE (sat) = −0.5 V (max) (IC = −1 A) • Excellent switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) • Complementary to 2SC3076 文件：189 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1241	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	丝印：A1241；Package：SC-64；Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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晶体管资料

型号：
2SA1222
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
160V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
45MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2N5401,2SA840,2SA1013,2SA1248,2SA1319,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
A-70
vtest：
160
htest：
45000000
atest：
0.5
wtest：
1

技术参数

VCEO (V)：
160
hFE min.：
100
hFE max.：
400
Pc (W)：
1
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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