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2SA1225-251	文件：322.58 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -160V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.1A ·High transition frequency ·Complementary to 2SC2983 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：322.58 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1225-252	文件：303.55 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -160V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.1A ·High transition frequency ·Complementary to 2SC2983 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：303.55 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1225-Y	文件：150.83 Kbytes Page：4 Pages	Driver Stage Amplifier Applications Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications • High transition frequency: fT = 100 MHz (typ.) • Complementary to 2SC2983 文件：150.83 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1226	文件：37.6 Kbytes Page：1 Pages	Silicon Transistor Features High gain bandwidth product Low output capacitance Low noise 文件：37.6 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1226	文件：183.62 Kbytes Page：4 Pages	HIGH FREQUENCY AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD HIGH FREQUENCY AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD 文件：183.62 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA1227	文件：129.72 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -140V(Min) • Good Linearity of I>E • Complement to Type 2SC2987 APPLICATIONS • For audio frequency power amplifier applications. 文件：129.72 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1227	文件：122.81 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • Complement to type 2SC2987/2987A • High power dissipation APPLICATIONS • For use in audio frequency power amplifier applications 文件：122.81 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1227	文件：30.54 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL/NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR PNP Silicon Epitaxial/NPN Silicon Triple Diffused Transistor Audio Frequency Power Amplifier 文件：30.54 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SA1227	文件：118.8 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • Complement to type 2SC2987/2987A • High power dissipation APPLICATIONS • For use in audio frequency power amplifier applications 文件：118.8 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1227	文件：166.66 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • Complement to type 2SC2987/2987A • High power dissipation APPLICATIONS • For use in audio frequency power amplifier applications 文件：166.66 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

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晶体管资料

型号：
2SA1222
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
160V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
45MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2N5401,2SA840,2SA1013,2SA1248,2SA1319,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
A-70
vtest：
160
htest：
45000000
atest：
0.5
wtest：
1

技术参数

VCEO (V)：
160
hFE min.：
100
hFE max.：
400
Pc (W)：
1
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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