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2SA1241-O	文件：189 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications •LowCollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=−0.5V(max)(IC=−1A) •Excellentswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) •Complementaryto2SC3076	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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2SA1241	文件：189 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplications PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications •LowCollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=−0.5V(max)(IC=−1A) •Excellentswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) •Complementaryto2SC3076	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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2SA1241	文件：189 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess) PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications •LowCollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=−0.5V(max)(IC=−1A) •Excellentswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) •Complementaryto2SC3076	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1241	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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