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2N7002W	文件：297.05 Kbytes Page：6 Pages	丝印：2N；Package：SOT-323；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：297.05 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N7002W	文件：71.21 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 文件：71.21 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N7002W	文件：158.68 Kbytes Page：3 Pages	300mA, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：158.68 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2N7002W	文件：81.87 Kbytes Page：3 Pages	丝印：K7；Package：SOT-323；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：81.87 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002W	文件：127.17 Kbytes Page：3 Pages	丝印：K7；Package：SOT-323；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：127.17 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002W	文件：187.86 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：187.86 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
2N7002W-7	文件：197.33 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Ultra-Small Surface Mount Package • Available in Lead Free/RoHS Compliant Version (Note 2) 文件：197.33 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002W-7-F	文件：197.33 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Ultra-Small Surface Mount Package • Available in Lead Free/RoHS Compliant Version (Note 2) 文件：197.33 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002WAX	文件：488.7 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Small Surface Mount Package  ESD Protected Gate 1KV  Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  Qualified to AEC-Q101 Standards for 文件：488.7 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002WAX-13	文件：488.7 Kbytes Page：6 Pages	丝印：7WA；Package：SOT323；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Small Surface Mount Package  ESD Protected Gate 1KV  Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  Qualified to AEC-Q101 Standards for 文件：488.7 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
0.34
PD Max (W)：
0.28
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
2500
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1600
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
0.7
Ciss Typ (pF)：
24.5
Package Type：
SC-70-3/SOT-323-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N7002W供应商更新时间2026-1-30 17:32:00

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