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2N7002DWL-AL6-R	文件：306.81 Kbytes Page：6 Pages	300m Amps, 60 Volts DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 2N7002DW uses advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * High Density Cell Design for Low RDS(ON) * Voltage Controlled Small Sign 文件：306.81 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
2N7002DWQ	文件：397.93 Kbytes Page：5 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Dual N-Channel MOSFET Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) The 文件：397.93 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002DWQ-13-F	文件：397.93 Kbytes Page：5 Pages	丝印：K72；Package：SOT363；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Dual N-Channel MOSFET Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) The 文件：397.93 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002DWQ-7-F	文件：397.93 Kbytes Page：5 Pages	丝印：K72；Package：SOT363；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Dual N-Channel MOSFET Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) The 文件：397.93 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002DWS	文件：513.419 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage ESD Protected Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) For automotive applications requiring specific change control Applicatio 文件：513.419 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002DWS-7	文件：513.419 Kbytes Page：7 Pages	丝印：MM1；Package：SOT363；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage ESD Protected Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) For automotive applications requiring specific change control Applicatio 文件：513.419 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002DW-TP	文件：102.89 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisture Sensitivity Level 1 • High density cell design for low RDS(ON) • Rugged and reliable • Voltage controlled small signal switch • Operating Junction Temperature: -55 to + 文件：102.89 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
2N7002DW_05	文件：112.24 Kbytes Page：4 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETS 文件：112.24 Kbytes 页数：4 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2N7002DW_08	文件：176.96 Kbytes Page：5 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：176.96 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2N7002DW_1	文件：164.84 Kbytes Page：5 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：164.84 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT

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技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.115 A
PD @ TA = +25°C：
0.3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
7500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT363

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