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2N7002DW	文件：448.94 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-channel 文件：448.94 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
2N7002DW	文件：89.71 Kbytes Page：4 Pages	丝印：K72；Package：SOT-363；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：89.71 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002DW	文件：402.74 Kbytes Page：5 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：402.74 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002DW1T1	文件：314.52 Kbytes Page：4 Pages	115 mAmps,60 Volts N–Channel SOT-363 • We declare that the material of product are Halogen Free and compliance with RoHS requirements. • ESD Protected:1000V • Pb-Free package is available RoHS product for packing code suffix G Halogen free product for packing code suffix H 文件：314.52 Kbytes 页数：4 Pages	WILLAS 威伦电子	WILLAS
2N7002DW-7	文件：123.61 Kbytes Page：4 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Ultra-Small Surface Mount Package • Available in Lead Free/RoHS Compliant Version (Note 2) 文件：123.61 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002DWA	文件：265.06 Kbytes Page：5 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage 文件：265.06 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002DWA-13	文件：265.06 Kbytes Page：5 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage 文件：265.06 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002DWA-7	文件：265.06 Kbytes Page：5 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage 文件：265.06 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002DWAQ-13	文件：265.06 Kbytes Page：5 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage 文件：265.06 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002DWAQ-7	文件：265.06 Kbytes Page：5 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage 文件：265.06 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

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技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.115 A
PD @ TA = +25°C：
0.3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
7500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT363

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