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2N7002BK	文件：1.01958 Mbytes Page：3 Pages	60VN-ChannelMosfet Application Directlogic-levelinterface:TTL/CMOS Drivers:relays,solenoids,lamps,hammersdisplay, memories,transistors,etc. Batteryoperatedsystems Solid-staterelays	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
2N7002BK	文件：286.97 Kbytes Page：15 Pages	60V,350mAN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ESD	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002BKM	文件：151.98 Kbytes Page：17 Pages	60V,450mAN-channelTrenchMOSFET	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2N7002BKM	文件：667.35 Kbytes Page：15 Pages	60V,singleN-channelTrenchMOSFET Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits Veryfastswitching TrenchMOSFETtechnology ESDprotect	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
2N7002BKM	文件：906 Kbytes Page：16 Pages	60V,450mAN-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmall SOT883(SC-101)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Logic-levelcompatible Veryfastswitching TrenchMOSFETtec	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002BKMB	文件：667.35 Kbytes Page：15 Pages	60V,singleN-channelTrenchMOSFET Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits Veryfastswitching TrenchMOSFETtechnology ESDprotect	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
2N7002BKMB	文件：1.4098 Mbytes Page：15 Pages	60V,singleN-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmall DFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Veryfastswitching TrenchMOSFETtechnology ESDprote	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002BKS	文件：384.54 Kbytes Page：16 Pages	60V,300mAdualN-channelTrenchMOSFET	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2N7002BKS	文件：384.54 Kbytes Page：16 Pages	60V,300mAdualN-channelTrenchMOSFET Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT363(SC-88)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETechnology. Featuresandbenefits ●Logic-levelcompatible ●Veryfastswitching ●TrenchMOSFETtechnology ●ESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
2N7002BKS	文件：931.08 Kbytes Page：16 Pages	60V,300mAdualN-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmall SOT363(SC-88)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 1.2Featuresandbenefits Logic-levelcompatible Veryfastswitching TrenchMOSFETtechnolog	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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