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2N7002BKMB中文资料安世数据手册PDF规格书

2N7002BKMB
厂商型号

2N7002BKMB

功能描述

60 V, single N-channel Trench MOSFET

丝印标识

0000

封装外壳

SOT883B

文件大小

1.4098 Mbytes

页面数量

15

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-2 8:18:00

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2N7002BKMB规格书详情

1.1 General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small

DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

 Very fast switching

 Trench MOSFET technology

 ESD protection up to 2 kV

 Logic-level compatible

 Ultra thin package profile with 0.37

mm height

1.3 Applications

 Relay driver

 High-speed line driver

 Low-side loadswitch

 Switching circuits

产品属性

  • 型号:

    2N7002BKMB

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 60V 450mA

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
2021/2022+
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