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2N7000P	文件：189.12 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET FEATURES 60VoltVCEO RDS(on)=5Ω	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2N7000P	文件：185.26 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
2N7000R	文件：572.01 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFET FEATURE HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) Voltagecontrolledsmallsignalswitch Ruggedandreliable Highsaturationcurrentcapability	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
2N7000RLRA	文件：60.36 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalMOSFET200mAmps,60VoltsN-ChannelTO-92 SmallSignalMOSFET200mAmps,60Volts N−ChannelTO−92 Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2N7000RLRM	文件：60.36 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalMOSFET200mAmps,60VoltsN-ChannelTO-92 SmallSignalMOSFET200mAmps,60Volts N−ChannelTO−92 Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2N7000RLRP	文件：60.36 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalMOSFET200mAmps,60VoltsN-ChannelTO-92 SmallSignalMOSFET200mAmps,60Volts N−ChannelTO−92 Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
2N7000P
功能描述：
MOSFET -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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