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2N7000R中文资料唯圣电子数据手册PDF规格书

2N7000R
厂商型号

2N7000R

功能描述

Plastic-Encapsulate MOSFET

文件大小

572.01 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Goodwork Semiconductor Co., Ltd
企业简称

GWSEMI唯圣电子

中文名称

唯圣电子有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-3 17:51:00

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2N7000R规格书详情

FEATURE

High density cell design for low RDS(ON)

Voltage controlled small signal switch

Rugged and reliable

High saturation current capability

产品属性

  • 型号:

    2N7000R

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 200mA N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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