2N7000G中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
2N7000G规格书详情
描述 Description
This Power MOSFET is the second generation of STMicroelectronics unique “single feature size” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
特性 Features
■ Low Qg
■ Low threshold drive
Application
■ Switching applications
产品属性
- 型号：
2N7000G
- 功能描述：
MOSFET 60V 200mA N-Channel
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
on |
23+ |
to-92 |
2500 |
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TO-92 |
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SMDDIP |
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on |
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to-92 |
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正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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ON进口 |
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TO-92 |
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ON |
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TO-92 |
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ON/安森美 |
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TO-92 |
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代理品牌 |
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