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2N7000P中文资料美台半导体数据手册PDF规格书

2N7000P
厂商型号

2N7000P

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

文件大小

189.12 Kbytes

页面数量

1

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-4 23:01:00

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2N7000P规格书详情

FEATURES

* 60 Volt VCEO

* RDS(on) = 5 Ω

产品属性

  • 型号:

    2N7000P

  • 功能描述:

    MOSFET -

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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