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2N6520	文件：214.27 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for applications requiring high breakdown voltage. 文件：214.27 Kbytes 页数：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
2N6520BU	文件：327.08 Kbytes Page：8 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Features • High Voltage Transistor • Collector-Emitter Voltage: VCBO = -350 V • Collector Dissipation: PC (max) = 625 mW • Complement to 2N6517 文件：327.08 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6520RLRAG	文件：122.56 Kbytes Page：7 Pages	High Voltage Transistors High Voltage Transistors NPN and PNP Features • Voltage and Current are Negative for PNP Transistors • Pb−Free Package is Available* 文件：122.56 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6520TA	文件：327.08 Kbytes Page：8 Pages	丝印：2N6520；Package：TO-923L；PNP Epitaxial Silicon Transistor Features • High Voltage Transistor • Collector-Emitter Voltage: VCBO = -350 V • Collector Dissipation: PC (max) = 625 mW • Complement to 2N6517 文件：327.08 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6520TA	文件：162.16 Kbytes Page：6 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Features • High Voltage Transistor • Collector-Emitter Voltage: VCBO= -350V • Collector Dissipation: PC (max)=625mW • Complement to 2N6517 文件：162.16 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N6520-TA	文件：1.62888 Mbytes Page：5 Pages	丝印：2N6520；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate PNP Transistors FEATURES Complement to 2N6517 High voltage. APPLICATIONS High voltage control circuit application. 文件：1.62888 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
2N652A	文件：267.79 Kbytes Page：3 Pages	alloy-junction germanium transistors [INTEX/ SEMITRONICS CORP] alloy-junction germanium transistors 文件：267.79 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6520	文件：101.59 Kbytes Page：8 Pages	High Voltage Transistors 文件：101.59 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6520	文件：295.96 Kbytes Page：7 Pages	High Voltage Transistor 625mW 文件：295.96 Kbytes 页数：7 Pages	MCC	MCC
2N6520	文件：109.18 Kbytes Page：3 Pages	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 文件：109.18 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

晶体管资料

型号：
2N652(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC128,AC153,AC193,2N1189,2N1190,2SB405ST,3AX55B,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
β>80
图片代号：
D-9
vtest：
45
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.2

技术参数

Maximum Power Dissipation：
200mW
Maximum Operating Temperature：
100°C
Maximum Emitter Base Voltage：
30V
Maximum DC Collector Current：
0.5A
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.25@1.25mA@50mA
Maximum Collector Base Voltage：
45V
Material：
Ge
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N652供应商更新时间2026-10-26 13:31:00

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